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SK하이닉스, 10나노급 6세대 D램 세계 최초 양산 준비

1. 주요 성과
   • SK하이닉스는 10나노급 6세대(1c) D램 개발에 성공하고, 오는 2025년 2월부터 세계 최초로 양산을 시작할 예정이다.
   • 이는 2023년 8월에 1c 기반 16Gb DDR5 D램을 세계 최초로 개발한 이후, 양산 단계까지 업계 선두 자리를 유지한 성과다.
2. 양산인증(MS Qual) 완료
   • SK하이닉스는 최근 양산 인증을 완료했으며, 이는 여러 번의 웨이퍼 생산 결과가 품질 및 수율을 충족해야만 부여되는 단계다.
   • 본격 양산은 2월 초부터 시작될 예정이다.
3. 경쟁사와의 격차
   • 삼성전자와 마이크론 등 경쟁사들은 아직 10나노급 6세대 D램을 개발하지 못한 상태다.
   • 개발에서 양산까지 최소 6개월이 소요된다는 점을 감안하면, SK하이닉스는 경쟁사보다 6개월 이상 앞선 기술력을 보유하고 있다.
4. 1c DDR5 D램의 특징
   • 동작 속도: 초당 8Gbps로 이전 세대보다 11% 향상.
   • 전력 효율: 이전 세대보다 9% 이상 개선.
   • 주요 활용처: 고성능 데이터센터.
5. 기술적 도전과 플랫폼 전략
   • 10나노급 D램 기술은 선폭이 좁아질수록 공정 난이도가 증가하며, 1c는 이를 극복하기 위해 1b 플랫폼을 기반으로 개발되었다.
   • 시행착오를 줄이고 기존 강점을 계승한 플랫폼 전략을 통해 효율적인 개발을 달성했다.
6. 향후 계획
   • SK하이닉스는 7세대 고대역폭 메모리(HBM)인 HBM4E에 1c 기술을 적용하여 시장 우위를 유지할 계획이다.

결론
이번 1c D램 양산은 SK하이닉스가 D램 기술에서 업계 선두 자리를 공고히 다지는 계기가 될 전망이다. 기술력과 생산력을 모두 갖춘 SK하이닉스는 글로벌 반도체 시장에서 더욱 중요한 역할을 하게 될 것이다.